Modul Separuh Potong Panel Suria HJT Kuasa Tinggi Tahap 1

Reka bentuk wafer segi empat tepat membolehkan untuk mencapai wafer yang lebih besar dan optimum. Ini bukan sahaja mengurangkan kos pengeluaran tetapi juga meningkatkan nilai sistem, menjadi laluan penting untuk meningkatkan kecekapan.

Modul wafer G12R dilengkapi dengan teknologi sel HJT 3.0 termaju, menawarkan kecekapan sehingga 25.5%, output kuasa sehingga 640W, bifisialiti 85%, Tem. Ko-cekap -0.26%/℃, degradasi tahun pertama ≤1%, degradasi linear 30 tahun ≤12%.

Memanfaatkan teknologi pengkapsulan filem penukaran cahaya, produk G12R menukarkan cahaya UV dengan panjang gelombang di bawah 380nm kepada cahaya biru dalam julat 400-550nm. Ini meningkatkan lagi rintangan UV modul, dengan itu meningkatkan kecekapan penukaran.

Kadar penembusan pelekat butil (PIB) adalah kurang daripada 0.3 g/m²•d, manakala getah silikon adalah antara 30-50 g/m²•d, menghasilkan peningkatan lebih sepuluh kali ganda dalam rintangan resapan wap air. PIB digunakan untuk mengelak tepi modul dwimuka, mengasingkan kelembapan dengan berkesan dan meningkatkan kelembapan dan prestasi rintangan haba modul HJT.
