Painel solar HJT de alta potência, módulo de meio corte, célula de nível 1
O design do wafer retangular permite obter wafers maiores e mais otimizados. Isso não só reduz o custo de produção, como também aumenta o valor do sistema, tornando-se um caminho crucial para melhorar a eficiência.
O módulo wafer G12R, equipado com a avançada tecnologia de células HJT 3.0, apresenta eficiência de até 25,5%, potência de saída de até 640 W, bificialidade de 85%, coeficiente de temperatura de -0,26%/°C, degradação no primeiro ano ≤1% e degradação linear em 30 anos ≤12%.
Aproveitando a tecnologia de encapsulamento de filme de conversão de luz, o produto G12R converte luz UV com comprimento de onda abaixo de 380 nm em luz azul na faixa de 400 a 550 nm. Isso aumenta ainda mais a resistência UV do módulo, melhorando assim a eficiência da conversão.
A taxa de penetração do adesivo butílico (PIB) é inferior a 0,3 g/m²•d, enquanto a da borracha de silicone fica entre 30 e 50 g/m²•d, resultando em uma melhoria de mais de dez vezes na resistência à permeação de vapor de água. O PIB é aplicado para selar as bordas de módulos bifaciais, isolando eficazmente a umidade e aprimorando a resistência à umidade e ao calor dos módulos HJT.


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